收藏本站
IRLR/U7821CPbF
D.U.T
+
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
+
?
-
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V *
D.U.T. V DS Waveform
?
?
-
R G
?
?
?
?
- ? +
dv/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
V DD
+
-
Reverse
Recovery
Current
Re-Applied
Voltage
Inductor Curent
Body Diode Forward
Current
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Body Diode Forward Drop
V DD
Ripple  ≤  5%
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel
HEXFET ? Power MOSFETs
Id
Vds
Vgs
Vgs(th)
I SD
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 16. Gate Charge Waveform
www.irf.com
7
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRLR8503TRLPBF MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
IRLR8503TRR MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
IRLR8715CPBF MOSFET N-CH 25V 51A DPAK
IRLS640A MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F
IRLTS6342TRPBF MOSF N CH 30V 8.3A TSOP6
IRLZ14STRRPBF MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
IRLZ14 MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
IRLZ24NSTRR MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
相关代理商/技术参数
IRLR7821HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 65A 3PIN DPAK - Rail/Tube
IRLR7821PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR7821TR 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRLR7821TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 65A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRLR7821TRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR7821TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 65A 10mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR7821TRPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR7821TRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R